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  • 二硫化鉬晶體（合成/2H）

    Single crystal highly oriented -synthetic- molybdenum disulfide （2H-MoS?） comes in bulk.

    訪問次數(shù)：943
    產(chǎn)品價格：面議
    廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
    更新日期：2024-06-03
  • 硫化鉍 Bi2S3 （Bismuth Sulfide）

    晶體尺寸：10毫米 電學性能：半導體 晶體結(jié)構(gòu)：斜方晶系 晶胞參數(shù)：a = 0.4025nm，B = 1.117nm，C = 1.135nm，α=β=γ= 9 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995% 表征方法：XRD，拉曼，EDX，霍爾測量

    訪問次數(shù)：1955
    產(chǎn)品價格：面議
    廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
    更新日期：2024-06-03
  • 二硫化鈮晶體 NbS2（2H-Niobium Disulfide）

    二硫化鈮晶體 2H-NbS2（Niobium Disulfide） 晶體尺寸：2毫米 電學性能：金屬，superconductor （Tc~6K）, charge density waves （CDW） system. 晶體結(jié)構(gòu)：六邊形 晶胞參數(shù)：a = b = 0.332 nm, c = 1.197 nm, α = β = 90, γ = 120° 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995%

    訪問次數(shù)：937
    產(chǎn)品價格：面議
    廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
    更新日期：2024-06-03
  • 三硫化鈮晶體（百分之99.995） NbS3

    三硫化鈮晶體（99.995%） NbS3 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995% 低維材料層狀過渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2

    訪問次數(shù)：1173
    產(chǎn)品價格：面議
    廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
    更新日期：2024-06-03
  • 三硫化鐵（磷摻雜）晶體（百分之99.995）

    三硫化鐵（磷摻雜）晶體（99.995%） FePS3 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995% 低維材料層狀過渡金屬化合物材料，新增材料： FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2

    訪問次數(shù)：1758
    產(chǎn)品價格：面議
    廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
    更新日期：2024-06-03
  • 三硫化錳（磷摻雜）晶體（百分之99.995）

    三硫化錳（磷摻雜）晶體（99.995%） MnPS3 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995% 低維材料層狀過渡金屬化合物材料，新增材料： FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2

    訪問次數(shù)：1052
    產(chǎn)品價格：面議
    廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
    更新日期：2024-06-03
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