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硫化鉍 Bi2S3 (Bismuth Sulfide)

簡要描述:晶體尺寸:10毫米
電學性能:半導體
晶體結構:斜方晶系
晶胞參數:a = 0.4025nm,B = 1.117nm,C = 1.135nm,α=β=γ= 9
晶體類型:合成
晶體純度:>99.995%
表征方法:XRD,拉曼,EDX,霍爾測量

  • 產品型號:
  • 廠商性質:生產廠家
  • 更新時間:2024-06-03
  • 訪  問  量:1955

詳細介紹

晶體尺寸:10毫米
電學性能:半導體
晶體結構:斜方晶系
晶胞參數:a = 0.4025nm,B = 1.117nm,C = 1.135nm,α=β=γ= 9
晶體類型:合成
晶體純度:>99.995%
表征方法:XRD,拉曼,EDX,霍爾測量

晶體尺寸:10毫米
電學性能:半導體
晶體結構:斜方晶系
晶胞參數:a = 0.4025nm,B = 1.117nm,C = 1.135nm,α=β=γ= 9
晶體類型:合成
晶體純度:>99.995%
表征方法:XRD,拉曼,EDX,霍爾測量

 

XRD of a single crystal Bi2S3. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.

 

EDX of a single crystal Bi2S3.

 

Raman of a single crystal Bi2S3. Measurement with a 785nm Raman at room temperature.

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