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高純度黑磷晶體 Black Phosphorus-Crystal 晶體結構：正斜方晶結構晶體尺寸：~10mm 電學性能：半導體 晶體結構：斜方晶系 晶胞參數(shù)：a = 0.331 nm, b= 1.048, c = 0.437 nm, α = β = γ = 90° 晶體類型：合成 晶體純度：99.995% 性質(zhì)：半導體
黑砷磷/晶體黑磷-砷合金 BP-As alloy （Black Phosphorus-Arsenic Alloy） 晶體尺寸：~mm 電學性能：半導體 晶體結構：斜方晶系 晶胞參數(shù)：晶胞參數(shù)取決于合金中的成分。p/As比值為1 a = b = 0.338 nm, b = 10.743 nm, c = 0.446 nm, α = β = γ = 90° 晶體類型：合成 晶體純度：99.995%
黑磷晶體 Black Phosphorus-Crystal 制備方法：化學氣相沉積法 組成：黑磷 外觀：片狀顆粒結構，金屬般光澤 寬度：毫米級 長度：1厘米 包裝：真空硅膠管（8厘米） 重量：200mg
黑磷晶體 Black Phosphorus-Crystal 制備方法：化學氣相沉積法 組成：黑磷 外觀：片狀顆粒結構，金屬般光澤 寬度：毫米級 長度：1厘米 包裝：真空硅膠管（8厘米） 重量：500mg
黑磷粉末 Black Phosphorus Powder 制備方法：化學氣相沉積法 組成：黑磷粉末 外觀：片狀顆粒結構，金屬般光澤 顆粒尺寸：~mm x ~mm x ~nm（LxWxH） 包裝：真空硅膠管（8厘米） 重量：200mg
黑磷粉末 Black Phosphorus Powder 制備方法：化學氣相沉積法 組成：黑磷粉末 外觀：片狀顆粒結構，金屬般光澤 顆粒尺寸：~mm x ~mm x ~nm（LxWxH） 包裝：真空硅膠管（8厘米） 重量：500mg
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