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黑砷磷晶體黑磷-砷合金

簡要描述：黑砷磷/晶體黑磷-砷合金 BP-As alloy （Black Phosphorus-Arsenic Alloy）
晶體尺寸：~mm
電學性能：半導體
晶體結構：斜方晶系
晶胞參數：晶胞參數取決于合金中的成分。p/As比值為1
a = b = 0.338 nm, b = 10.743 nm, c = 0.446 nm, α = β = γ = 90°
晶體類型：合成
晶體純度：>99.995%

  • 產品型號：HQBP-As
  • 廠商性質：生產廠家
  • 更新時間：2024-06-03
  • 訪  問  量：1913

詳細介紹

黑砷磷/晶體黑磷-砷合金 BP-As alloy (Black Phosphorus-Arsenic Alloy)
晶體尺寸：~mm
電學性能：半導體
晶體結構：斜方晶系
晶胞參數：晶胞參數取決于合金中的成分。p/As比值為1
a = b = 0.338 nm, b = 10.743 nm, c = 0.446 nm, α = β = γ = 90°
晶體類型：合成
晶體純度：>99.995%

 

Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal P-As. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.

 

Stoichiometric analysis of a single crystal P-As by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).

 

Raman spectrum of a single crystal P-As. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.

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