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高比表面積氧化石墨烯

簡要描述:高比表面積氧化石墨烯 High Surface Area Graphene Oxide
制備方法:改良的H法
高表面積氧化石墨烯
直徑:1 ~ 5um
厚度:0.8~1.2nm
單層比:99%
純度:99%
比表面積(BET):100平方米/克
堆積密度:0.009g/cm3
體積密度:0.0052g/cm3

  • 產品型號:ACSMaterial
  • 廠商性質:生產廠家
  • 更新時間:2024-06-03
  • 訪  問  量:1664

詳細介紹

高比表面積氧化石墨烯 High Surface Area Graphene Oxide
制備方法:改良的H法
高表面積氧化石墨烯
直徑:1 ~ 5um
厚度:0.8~1.2nm
單層比:99%
純度:99%
比表面積(BET):100平方米/克
堆積密度:0.009g/cm3
體積密度:0.0052g/cm3

氧化石墨烯的元素組成

 

SampleN (wt %)C (wt %)O (wt %)C/O at. ratio (wt %)
Graphene Oxide051.2640.781.67

 

Photos of High Surface Area Graphene Oxide

*TEM of High Surface Area Graphene Oxide


*AFM of High Surface Area Graphene Oxide

高比表面積氧化石墨烯 High Surface Area Graphene Oxide
制備方法:改良的H法
高表面積氧化石墨烯
直徑:1 ~ 5um
厚度:0.8~1.2nm
單層比:99%
純度:99%
比表面積(BET):100平方米/克
堆積密度:0.009g/cm3
體積密度:0.0052g/cm3

High Surface Area Graphene Oxide
制備方法:改良的H法
高表面積氧化石墨烯
直徑:1 ~ 5um
厚度:0.8~1.2nm
單層比:99%
純度:99%
比表面積(BET):100平方米/克
堆積密度:0.009g/cm3
體積密度:0.0052g/cm3

High Surface Area Graphene Oxide
制備方法:改良的H法
高表面積氧化石墨烯
直徑:1 ~ 5um
厚度:0.8~1.2nm
單層比:99%
純度:99%
比表面積(BET):100平方米/克
堆積密度:0.009g/cm3
體積密度:0.0052g/cm3

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