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  • 機械剝離單層二硫化鎢薄膜

    Monolayer tungsten disulfide (1H-WS?) flakes have been exfoliated from bulk tungsten disulfide (2H-WS?) onto 90nm thermal oxide and measures from 5micron up to 40micron in size.

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    產品價格:面議
    廠商性質:生產廠家
    更新日期:2024-06-03
  • 機械剝離單層二硒化鎢薄膜

    Monolayer tungsten diselenide (1H-WSe?) flakes have been exfoliated from bulk tungsten diselenide (2H-WSe?) onto 90nm thermal oxide and measures from 5micron up to 40micron in size.

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    廠商性質:生產廠家
    更新日期:2024-06-03
  • CVD轉移生長MX2單分子膜

    Substrate: Sapphire (c-cut) Quartz (Silica) TEM grids (please supply grids) Thermal Oxide (SiO2/Si) Polyethylene terephthalate – PET Substrates

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    廠商性質:生產廠家
    更新日期:2024-06-03
  • CVD缺陷生長二維層

    Newly acquired ion implantation accelerator unit allows 2Dsemiconductors USA to create desired amounts of defects by alpha particle irradiation process at select amount of doses.

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    更新日期:2024-06-03
  • HQBP高純度黑磷晶體

    高純度黑磷晶體 Black Phosphorus-Crystal 晶體結構:正斜方晶結構晶體尺寸:~10mm 電學性能:半導體 晶體結構:斜方晶系 晶胞參數:a = 0.331 nm, b= 1.048, c = 0.437 nm, α = β = γ = 90° 晶體類型:合成 晶體純度:99.995% 性質:半導體

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    廠商性質:生產廠家
    更新日期:2024-06-03
  • HQBP-As黑砷磷晶體黑磷-砷合金

    黑砷磷/晶體黑磷-砷合金 BP-As alloy (Black Phosphorus-Arsenic Alloy) 晶體尺寸:~mm 電學性能:半導體 晶體結構:斜方晶系 晶胞參數:晶胞參數取決于合金中的成分。p/As比值為1 a = b = 0.338 nm, b = 10.743 nm, c = 0.446 nm, α = β = γ = 90° 晶體類型:合成 晶體純度:99.995%

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    廠商性質:生產廠家
    更新日期:2024-06-03
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