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  • 二硫化鉬晶體(合成/2H)

    Single crystal highly oriented -synthetic- molybdenum disulfide (2H-MoS?) comes in bulk.

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    產品價格:面議
    廠商性質:生產廠家
    更新日期:2024-06-03
  • 硫化鉍 Bi2S3 (Bismuth Sulfide)

    晶體尺寸:10毫米 電學性能:半導體 晶體結構:斜方晶系 晶胞參數:a = 0.4025nm,B = 1.117nm,C = 1.135nm,α=β=γ= 9 晶體類型:合成 晶體純度:>99.995% 表征方法:XRD,拉曼,EDX,霍爾測量

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    廠商性質:生產廠家
    更新日期:2024-06-03
  • 二硫化鈮晶體 NbS2(2H-Niobium Disulfide)

    二硫化鈮晶體 2H-NbS2(Niobium Disulfide) 晶體尺寸:2毫米 電學性能:金屬,superconductor (Tc~6K), charge density waves (CDW) system. 晶體結構:六邊形 晶胞參數:a = b = 0.332 nm, c = 1.197 nm, α = β = 90, γ = 120° 晶體類型:合成 晶體純度:>99.995%

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    產品價格:面議
    廠商性質:生產廠家
    更新日期:2024-06-03
  • 三硫化鈮晶體(百分之99.995) NbS3

    三硫化鈮晶體(99.995%) NbS3 晶體類型:合成 晶體純度:>99.995% 低維材料層狀過渡金屬化合物材料,新增材料:FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2

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    產品價格:面議
    廠商性質:生產廠家
    更新日期:2024-06-03
  • 三硫化鐵(磷摻雜)晶體(百分之99.995)

    三硫化鐵(磷摻雜)晶體(99.995%) FePS3 晶體類型:合成 晶體純度:>99.995% 低維材料層狀過渡金屬化合物材料,新增材料: FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2

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    更新日期:2024-06-03
  • 三硫化錳(磷摻雜)晶體(百分之99.995)

    三硫化錳(磷摻雜)晶體(99.995%) MnPS3 晶體類型:合成 晶體純度:>99.995% 低維材料層狀過渡金屬化合物材料,新增材料: FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2

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    廠商性質:生產廠家
    更新日期:2024-06-03
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