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二碲化鈮晶體 NbTe2（Niobium Selenide） 晶體尺寸：~8毫米 電學性能：金屬，半導體（TC ~ 0.7k） 晶體結構：單斜晶系，C 晶胞參數：a＝1.470 nm，b＝0.364，c＝0.935 nm，α＝γ＝90°，β＝108° 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995%
二碲化鈦晶體 TiTe2（Titanium Ditelluride） 晶體尺寸：~8毫米 電學性能：半金屬 晶體結構：六邊形 晶胞參數：a = b = 0.377 nm, c = 0.649 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995%
二碲化鎢晶體 WTe2（Tungsten Ditelluride） 晶體尺寸：10毫米 電學性能：半金屬，type II Weyl semimetal （WSM） 晶體結構：斜方晶系 P 晶胞參數：a = 0.348 nm, b = 0.625 nm, c = 1.405 nm, α = β = γ = 90° 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995% 屬性：半導體
晶體尺寸：10毫米 電學性能：半導體，拓撲絕緣體，熱電材料 晶體結構：單斜晶結構 晶胞參數：a = 1.430nm，B = 0.403nm，C = 0.986nm，α=γ= 90°，β= 95.40 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995% 表征方法：XRD、拉曼、EDX
晶體尺寸：10毫米 電學性能：金屬，電荷密度波（CDW）（TCDW ~ 170K） 晶體結構：單斜晶 晶胞參數：a = 1.479nm，B = 0.364nm，C = 0.934nm，α=γ= 90°，β= 110.71 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995% 表征方法：XRD、拉曼、EDX
晶體尺寸：10毫米 電學性能：半導體，拓撲絕緣體，熱電性 晶體結構：六邊形 晶胞參數：a = b = 0.425nm，C = 3.048nm，α=β= 90°γ= 120 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995% 表征方法：XRD、拉曼、EDX
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