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  • 2D Semiconductorg-C3N4 crystals 氮化碳晶體

    Graphitic carbon nitride （g-C3N4） has been one of the most attractive materials in the field owing to its unique electronic structure.

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    廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
    更新日期：2024-06-04
  • 2D SemiconductorMnO2 二氧化錳晶體

    MnO2 is 2D catalytic and electronic grade semiconducting 2D material. In the bulk form, MnO2 has 1.5 eV predicted band gap while it has been anticipated to increase to 2.0 eV in the monolayer form .

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    廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
    更新日期：2024-06-04
  • 2D SemiconductorMoO3 三氧化鉬晶體

    a-MoO3 is a layered vdW semiconductor with a crystal structure that belongs to the space group Pbnm 62 （see unit cell parameters below）. In its layered form,

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    更新日期：2024-06-04
  • 2D SemiconductorGeP 磷化鍺晶體

    GeP has highly anisotropic dispersions of band structures, with a layer-dependent indirect band gap from （theoretically predicted） 1.68 eV of monolayer to 0.51 eV of bulk.

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    廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
    更新日期：2024-06-04
  • 2D SemiconductorGeAs 砷化鍺晶體

    Our single crystal GeAs （Germanium arsenide） crystals come with guaranteed anisotropy, electronic, and optical grade crystal quality.

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  • 2D SemiconductorSbSI 硅化銻晶體

    Commercially available first ferroelectric semiconductor SbSI 1D and 2D vdW crystals. Bulk V-VI-VII semiconductor has a orthorhombic structure with the space group of Pna21.

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    更新日期：2024-06-04
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