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碲化鉍晶體 Bi2Te3（Bismuth Telluride） 晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶體尺寸：~10毫米 電氣性能：拓撲絕緣體的 晶體結(jié)構(gòu)：六邊形 晶胞參數(shù)：a = b = 0.438 nm, c = 3.050 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995%

二碲化鉿晶體 HfTe2（Hafnium Telluride） 晶體尺寸：~10毫米 電學性能：半金屬 晶體結(jié)構(gòu)：六邊形 晶胞參數(shù)：a = b = 0.395 nm, c = 0.666 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995%

二碲化鉬晶體 1T-MoTe2（Molybdenum Ditelluride） 晶體尺寸：~10毫米 電學特性：金屬 晶體結(jié)構(gòu)：單斜晶系 晶胞參數(shù)：a = 0.621 nm, b = 0.347 nm, c = 1.383 nm, α = γ = 90°, β = 93.83 ° 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995%

二碲化鈮晶體 NbTe2（Niobium Selenide） 晶體尺寸：~8毫米 電學性能：金屬，半導體（TC ~ 0.7k） 晶體結(jié)構(gòu)：單斜晶系，C 晶胞參數(shù)：a＝1.470 nm，b＝0.364，c＝0.935 nm，α＝γ＝90°，β＝108° 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995%

二碲化鈦晶體 TiTe2（Titanium Ditelluride） 晶體尺寸：~8毫米 電學性能：半金屬 晶體結(jié)構(gòu)：六邊形 晶胞參數(shù)：a = b = 0.377 nm, c = 0.649 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995%

二碲化鎢晶體 WTe2（Tungsten Ditelluride） 晶體尺寸：10毫米 電學性能：半金屬，type II Weyl semimetal （WSM） 晶體結(jié)構(gòu)：斜方晶系 P 晶胞參數(shù)：a = 0.348 nm, b = 0.625 nm, c = 1.405 nm, α = β = γ = 90° 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995% 屬性：半導體