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二硒化釩晶體（百分之99.995） VSe2

簡要描述：二硒化釩晶體 VSe2 （Vanadium Diselenide）
晶體尺寸：~8毫米
電學性能：金屬，電荷密度波（CDW）
晶體結構：六邊形
晶胞參數：a = b = 0.336 nm, c = 0.609 nm, α = β = 90°, γ =120°
晶體類型：合成
晶體純度：＞99.995%

  • 產品型號：
  • 廠商性質：生產廠家
  • 更新時間：2024-06-03
  • 訪  問  量：1553

詳細介紹

二硒化釩晶體 VSe2 (Vanadium Diselenide)
晶體尺寸：~8毫米
電學性能：金屬，電荷密度波（CDW）
晶體結構：六邊形
晶胞參數：a = b = 0.336 nm, c = 0.609 nm, α = β = 90°, γ =120°
晶體類型：合成
晶體純度：＞99.995%

X-ray diffraction on a Vanadium Diselenide single crystal aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 4 XRD peaks correspond, from left to right, to (00l) with l = 1, 2, 3, 4

 

Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal VSe2. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.

 

Stoichiometric analysis of a single crystal VSe2 by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).

 

Raman spectrum of a single crystal VSe2. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.

 

 

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