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二硫化鉿晶體（百分之99.995） HfS2

簡(jiǎn)要描述：二硫化鉿晶體 HfS2 （Hafnium Disulfide）
晶體尺寸：~10毫米
電學(xué)性能：半導(dǎo)體
晶體結(jié)構(gòu)：六邊形
晶胞參數(shù)：a = b = 0.363 nm, c = 0.586 nm, α = β = 90°, γ = 120°
晶體類型：合成
晶體純度：＞99.995%

  • 產(chǎn)品型號(hào)：
  • 廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間：2024-06-03
  • 訪  問(wèn)  量：2084

詳細(xì)介紹

二硫化鉿晶體 HfS2 (Hafnium Disulfide)
晶體尺寸：~10毫米
電學(xué)性能：半導(dǎo)體
晶體結(jié)構(gòu)：六邊形
晶胞參數(shù)：a = b = 0.363 nm, c = 0.586 nm, α = β = 90°, γ = 120°
晶體類型：合成
晶體純度：＞99.995%

 

X-ray diffraction on a HfS2 single crystal aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 4 XRD peaks correspond, from left to right, to (00l) with l = 1, 2, 3, 4

 

Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal HfS2. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.

 

Stoichiometric analysis of a single crystal HfS2 by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).

 

Raman spectrum of a single crystal HfS2. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.

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