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  • ACSMaterial單層氧化石墨烯(H法/進口)

    單層氧化石墨烯(H法/進口) Single Layer Graphene Oxide (H Method) 制備方法:改良的H法 直徑:1~5um 厚度:0.8~1.2nm 單層比:99% 純度:99% 堆積密度:0.44g/cm3 體積密度:為0.26g/cm3

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    產品價格:面議
    廠商性質:生產廠家
    更新日期:2024-06-03
  • ACSMaterial氧化石墨烯(S法/進口)(S Method)

    氧化石墨烯(S法/進口) Graphene Oxide (S Method) 制備方法:斯托登梅爾方法 外觀為灰綠色粉末 直徑:1~5um 厚度:0.8~1.2nm 比表面積(SSA)5-10平方米/克 單層比:>90% 氧含量:~35 wt%

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    產品價格:面議
    廠商性質:生產廠家
    更新日期:2024-06-03
  • ACSMaterial氧化石墨烯(S法/進口)

    氧化石墨烯(S法/進口) Graphene Oxide (S Method) 制備方法:斯托登梅爾方法 外觀為灰綠色粉末 直徑:1~5um 厚度:0.8~1.2nm 比表面積(SSA)5-10平方米/克

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    產品價格:面議
    廠商性質:生產廠家
    更新日期:2024-06-03
  • 2D Semiconductor氧化石墨烯(美國)

    Semiconductor analog of graphene: Graphene oxide has been synthesized at our R&D facilities using modified reaction Hummer technique.

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    產品價格:面議
    廠商性質:生產廠家
    更新日期:2024-06-03
  • 2D Semiconductor羧基石墨烯

    Carboxyl (-COOH) functionalized graphene has been developed at our facilities. Can be deposited on various substrates either by conventional mechanical exfoliation or spin coating in the solution form

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    廠商性質:生產廠家
    更新日期:2024-06-03
  • 2D Semiconductor氟化石墨烯

    Graphene fluoride has been developed our facilities. Carbon to Fluoride ratio is 1:1 and the particle size ranges from 1-15 microns. Electrical resistivity is 1E11-1E12 Ohm.cm.

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    更新日期:2024-06-03
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