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硒化銦晶體（99.995%） InSe 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995% 低維材料層狀過渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2
二硒化鎢鈀晶體（99.995%） PdSe2 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995% 低維材料層狀過渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2
硒化鎢晶體（硫摻雜）（99.995%） WSSe 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995% 低維材料層狀過渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2
三硒化錳（磷摻雜）晶體（99.995%） MnPSe3 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995% 低維材料層狀過渡金屬化合物材料，新增材料： FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2
Bismuth Selenide （Bi?Se?） Developed at our facilities since early 2011 to optimize the perfect stoichiometry and stabilize the topological insulator state.
World record size single crystal SnSe? （Tin diselenide） crystals are developed at our facilities using state-of-art techniques.
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