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a-MoO3 is a layered vdW semiconductor with a crystal structure that belongs to the space group Pbnm 62 （see unit cell parameters below）. In its layered form,
【巨納】基于石英基底的單層連續二硫化鉬薄膜（10*10mm）
GeP has highly anisotropic dispersions of band structures, with a layer-dependent indirect band gap from （theoretically predicted） 1.68 eV of monolayer to 0.51 eV of bulk.
【巨納】三角形單層二硫化鎢（10*10mm）-襯底可選
Our single crystal GeAs （Germanium arsenide） crystals come with guaranteed anisotropy, electronic, and optical grade crystal quality.
【巨納】單層二硫化鎢（10x10mm）連續薄膜-襯底可選
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